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SIS412DN-T1-GE3/VISHAY/威世/MOS

發布日期:2023-08-24 10:49 瀏覽次數:

SIS412DN-T1-GE3/VISHAY/威世/MOS

  制造商:Vishay

  產品種類:MOSFET

  安裝風格:SMD/SMT

  封裝 / 箱體:PowerPAK-1212-8

  晶體管極性:N-Channel

  Vds-漏源極擊穿電壓:30 V

  Id-連續漏極電流:12 A

  Rds On-漏源導通電阻:24 mOhms

  Vgs - 柵極-源極電壓:- 10 V, + 10 V

  Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V

  Qg-柵極電荷:8 nC

  最小工作溫度:- 55 C

  最大工作溫度:+ 150 C

  Pd-功率耗散:10 W

  系列:SIS

  封裝:Reel

  封裝:Cut Tape

  封裝:MouseReel

  下降時間:10 ns

  正向跨導 - 最小值:17 S

  產品類型:MOSFET

  上升時間:10 ns, 12 ns

  工廠包裝數量:3000

  子類別:MOSFETs

  晶體管類型:1 N-Channel

  典型關閉延遲時間:13 ns, 15 ns

  典型接通延遲時間:5 ns, 15 ns

  單位重量:1 g

溫馨提示

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安芯科創是一家國內芯片代理和國外品牌分銷的綜合服務商,公司提供芯片ic選型、藍牙WIFI模組、進口芯片替換國產降成本等解決方案,可承接項目開發,以及元器件一站式采購服務.

  安芯科創是一家國內芯片代理和國外品牌分銷的綜合服務商,公司提供芯片ic選型、藍牙WIFI模組、進口芯片替換國產降成本等解決方案,可承接項目開發,以及元器件一站式采購服務.能根據BOM配單一站式采購,類型有運放芯片、電源芯片、MO芯片、藍牙芯片、MCU芯片、二極管、三極管、電阻、電容、連接器、電感、繼電器、晶振、藍牙模組、WI模組及各類模組等電子元器件銷售。


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